三星啟動12納米DDR5 DRAM大規(guī)模生產(chǎn)，降低功耗提高晶圓生產(chǎn)力

近日，三星電子再次重申其在DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)12納米DDR5 DRAM。這款新一代內(nèi)存芯片通過采用差異化工藝技術(shù)，在功耗和晶圓生產(chǎn)力方面實現(xiàn)了顯著的提升。此外，這些內(nèi)存芯片還具備7.2Gbps的最大引腳速度。

三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee在談到這一制造里程碑時表示："借助差異化的工藝技術(shù)，三星的12納米DDR5 DRAM具備卓越的性能和電源效率。"然而，普通PC用戶需要等待更長的時間，因為這些12納米DDR5芯片的首次應(yīng)用將主要集中在數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代計算等領(lǐng)域。

三星表示，12納米級DRAM的開發(fā)是通過采用一種新的高K材料實現(xiàn)的。在進一步的解釋中，三星指出，這些集成電路中使用的晶體管柵極材料具有更高的電容，使其狀態(tài)更易于準確區(qū)分。此外，三星還通過降低工作電壓和減少噪音等方面的努力，為用戶提供了優(yōu)化的解決方案。

需要注意的是，這些12納米DDR5芯片仍然是16Gb的IC，因此并未在密度方面實現(xiàn)突破。然而，它們在功耗、速度和晶圓經(jīng)濟等方面帶來了顯著的好處。據(jù)三星表示，與前一代相比，12納米DDR5芯片的功耗降低了23%，晶圓生產(chǎn)力提高了20%。

通過啟動12納米DDR5 DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)，三星再次展示了其在DRAM領(lǐng)域的技術(shù)實力和領(lǐng)導(dǎo)地位。這將為數(shù)據(jù)中心、人工智能等領(lǐng)域的應(yīng)用帶來更高的性能和效率。隨著技術(shù)的不斷進步，相信DRAM領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鄤?chuàng)新和突破，為用戶帶來更出色的體驗和解決方案。