信息量很大 進(jìn)度比預(yù)想的要快 國產(chǎn)光刻機(jī)為何最終能成

7月31日，新華網(wǎng)發(fā)布一篇文章對國產(chǎn)光刻機(jī)如何突圍做出了自己的觀點(diǎn)。最近這兩年來，國產(chǎn)光刻機(jī)在低調(diào)的發(fā)展，相關(guān)的內(nèi)容進(jìn)展也一直有所保留，雖然小道消息傳出不斷。但是經(jīng)過官方驗(yàn)證的消息卻很少，從目前國產(chǎn)光刻機(jī)的發(fā)展進(jìn)度來看，這些光刻機(jī)的發(fā)展速度，也比預(yù)想中要快一些，光刻機(jī)關(guān)鍵環(huán)節(jié)或許正在突破。

新華網(wǎng)此次的消息中透露，上海微電子正在致力于研發(fā)28納米的浸沒式光刻機(jī)，預(yù)計(jì)將會在3202年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，將第一臺SSA/800-10W光刻機(jī)設(shè)備交付給市場。此前華為獲得的一項(xiàng)最新專利，極紫外光刻機(jī)設(shè)備也在核心技術(shù)方面取得了突破性的進(jìn)展，國家知識產(chǎn)權(quán)局公布了華為在這方面的一項(xiàng)最新專利。

此次透露出了這些消息，真實(shí)性是毫無疑問的，畢竟是官方媒體公布的信息，信息來源是肯定靠譜的。這些事情的來源如果屬實(shí)，上海微電子能夠生產(chǎn)28納米的光刻機(jī)，意味著我國已經(jīng)解決光刻機(jī)研制從無到有的問題。其次華為的反射鏡，光刻裝置以及控制方法的研制成功，意味著我們能夠在極紫外線光刻機(jī)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從1到100的突破。

各種關(guān)鍵信息來看，關(guān)鍵環(huán)節(jié)的突破問題對于我們來說只剩下時(shí)間，畢竟中國光刻機(jī)設(shè)備的消息早在此前就已經(jīng)傳出很多卡脖子技術(shù)的突破問題。外界永遠(yuǎn)不對這些方面不知道進(jìn)度，等知道這些進(jìn)度的時(shí)候，國產(chǎn)光刻機(jī)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模的量產(chǎn)?，F(xiàn)在對于我們來說高端光刻機(jī)還是比較不容樂觀的，仍舊受到國外勢力的卡脖子現(xiàn)象，我國的半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展形式受限。