三星西安工廠工藝升級當(dāng)下采購新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND

2023-10-19 11:35:07 編輯：皇甫之堂來源：

導(dǎo)讀三星電子以及SK海力士等韓國公司在上周一獲得美國政府無限期豁免，該公司的中國工廠無需任何的特別許可就可以進(jìn)口美國芯片設(shè)備。三星電子當(dāng)...

三星電子以及SK海力士等韓國公司在上周一獲得美國政府無限期豁免，該公司的中國工廠無需任何的特別許可就可以進(jìn)口美國芯片設(shè)備。三星電子當(dāng)下已經(jīng)決定會將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，同時也開啟了大規(guī)模的擴(kuò)張。

有相關(guān)人士爆料，三星已經(jīng)采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，預(yù)計會在2023年年底交付，并且在2024年陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)第8代NAND的設(shè)備。該工廠是在2012年落戶于西安的高新區(qū)，也是三星公司唯一一個海外存儲器半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。目前該公司已經(jīng)發(fā)展成為全球最大的NAND制造基地，每個月可以生產(chǎn)20萬片12英寸的晶圓，占據(jù)三星該項目總產(chǎn)量的40%以上。本次三星升級西安工廠的原因主要有兩個，一方面是因為美國發(fā)布了無限期豁免，另一方面是因為全球的NAND市場比較低迷，三星在這種情況下需要保持領(lǐng)導(dǎo)地位。