半導(dǎo)體芯片迎大突破 全新的鐵電晶體管更小 更快 更節(jié)能

近日，美國賓夕法尼亞大學(xué)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院的研究人員正式推出了一種新的fe-fet設(shè)計，這項(xiàng)設(shè)計在計算和存儲方面有了破紀(jì)錄的性能表現(xiàn)。據(jù)了解，采技術(shù)打造算的精的晶體管，在鐵電材料碳化鋁抗上，覆蓋了一種叫做二硫化鉬的二維半導(dǎo)體，通過這樣的方式證明了這兩種材料可以結(jié)合在一起，從而制造出對工業(yè)制造更加有吸引的晶體管。研究人員表示，將鐵電絕緣體材料和二維半導(dǎo)體材料結(jié)合在一起，能夠讓兩者變得更加的節(jié)能，這樣就可以運(yùn)用在計算和存儲方面，提升整個設(shè)備的效率。

據(jù)了解，這個設(shè)備允許每個單獨(dú)的設(shè)備以最小的表面積運(yùn)行，而且這些微型設(shè)備還能夠擴(kuò)展到工業(yè)平臺的大型陣列方面，整個半導(dǎo)體設(shè)備只有0.7納米，最初的時候并不確定他們是否能夠承受鐵電材料中的大量電荷。但是讓人感到驚訝的是，他們不僅能夠承受這些電荷，而且還能讓半導(dǎo)體攜帶的電流量突破原先的記錄。

針對這樣的性能表現(xiàn)，研究人員表示，一個設(shè)備能夠攜帶的電流越多，那么這個設(shè)備在計算機(jī)應(yīng)用上的運(yùn)行速度就會變得越來越快，電阻越低的話存儲器的訪問速度也就會變得越快。除此之外，此次兩個不同材料的結(jié)合也是晶體管技術(shù)的全新突破，可以幫助一些元器件變得更加小型化，在這一次的新研究中，使用了20鐵電材料和0.7那米的納米的moS 2設(shè)備，能夠讓整個設(shè)備更可靠的去存儲數(shù)據(jù)。

該研究團(tuán)隊還表示，下一步中，團(tuán)隊的工作目標(biāo)將會集在設(shè)備的小型化處理上，去生產(chǎn)在足夠電壓下工作的一些設(shè)備。通過這樣的方式，打造出更加兼容領(lǐng)先的消費(fèi)設(shè)備資源，隨著后續(xù)的技術(shù)發(fā)展，很多的功能設(shè)備都可以在實(shí)際應(yīng)用中占據(jù)一席之地，尤其是那些支持人工智能消費(fèi)的領(lǐng)域。