美光推出 1β DRAM 工藝節(jié)點與LPDDR5X-8500 內(nèi)存

美光周二宣布了其用于 DRAM 的下一代 1β (1-beta) 制造技術(shù)

(在新標(biāo)簽中打開)(動態(tài)隨機存取存儲器)。新節(jié)點將使美光能夠降低其 DRAM 的成本，同時提高其電源效率和性能。1β (1-beta) 將是該公司最后一個依賴深紫外 (DUV) 光刻且不使用極紫外 (EUV) 工具的 DRAM 生產(chǎn)工藝。

美光的 1β 制造工藝使用該公司的第二代高 K 金屬柵極 (HKMG)，與制造的類似 DRAM 器件相比，據(jù)稱可將 16Gb 內(nèi)存裸片的位密度提高 35%，并將電源效率提高 15%在公司的 1α 節(jié)點上。新的制造技術(shù)將特別適用于移動、服務(wù)器和桌面應(yīng)用的大容量 DDR5 和 LPDDR5X 芯片。

與三星和 SK 海力士的競爭對手不同，美光目前不使用 EUV 工具，因此必須依靠各種多圖案技術(shù)來不斷縮小 DRAM 單元。

“我們推動了所有領(lǐng)域的創(chuàng)新，包括尖端的圖案倍增技術(shù)，”美光 DRAM 工藝集成副總裁 Thy Tran 說。“1β 還配備了新工藝、材料和先進設(shè)備來推進我們的存儲單元集成，以便我們可以縮小存儲單元陣列。[...] 為了最大限度地利用所有技術(shù)優(yōu)勢和我們的設(shè)計創(chuàng)新，我們還積極擴展內(nèi)存單元的高度與尺寸和裸片中的其余電路有關(guān)，以節(jié)省空間并為給定密度帶來盡可能小的裸片，同時優(yōu)化功率和性能改進。

美光將使用其領(lǐng)先節(jié)點制造的第一款產(chǎn)品將是 16Gb LPDDR5X-8500 內(nèi)存，但最終該公司將開始將該節(jié)點用于其他產(chǎn)品。據(jù)說 16Gb LPDDR5X 芯片提供增強的動態(tài)電壓和頻率縮放擴展內(nèi)核 (eDVFSC) 電壓控制技術(shù)以節(jié)省功耗。