SK 海力士發(fā)布新型 PLC 雙 2.5 bit 單元寫入速度與 TLC看齊

2023-08-21 19:09:28 編輯：寇軍靈來源：

導(dǎo)讀 SK 海力士將計劃2025年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND閃存。提高存儲密度的手段，除了提高層數(shù)之外也包括著其他的方案。4bit單元型3D...

SK 海力士將計劃2025年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND閃存。提高存儲密度的手段，除了提高層數(shù)之外也包括著其他的方案。4bit單元型3D NAND閃存已經(jīng)實現(xiàn)商業(yè)化，SSD受益于此價格也隨之開始降低。當下市場上SSD的價格有一點上漲跡象，但是很多的廠家開始研發(fā)下一代5bit單元方案。通過全新的研發(fā)，能夠讓大家擁有容量更大以及速度更快的固態(tài)硬盤。

在FMS 2023閃存峰會上，SK 海力士展示了新型PLC技術(shù)的研究成果。這項技術(shù)的基本原理是用兩個2.5 bit 單元，這樣雙線程同時寫入會比5bit存儲要快得多。SK海力士設(shè)計新型PLC，將一個 5 bit 單元分為兩個 2.5 bit 點位，每個點存儲 2.5 bit 。綜合各個點的數(shù)據(jù)獲得5 bit數(shù)據(jù)，就可以使PLC寫入時間與TLC基本上相同。