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在7nm設計用于AMD的下一代Ryzen 3000處理器之后,臺積電已經取消了其下一個工藝節(jié)點,并且在2020年將7nm + EUV設計用于Zen 3 CPU。您能猜出它是什么嗎?是的,這次我們談的是6nm EUV。
現在,如果你開始感到一種令人毛骨悚然的感覺,這可能更像是基于營銷的名稱變化,而不是晶體管尺寸的真正變化 - 類似于14nm和12nm之間的切換 - 那么我就在那里和你。畢竟,臺積電聲稱新的光刻技術將與現有7nm技術的設計規(guī)則完全兼容,因此基于之前光刻技術的產品可以非??焖俚剡M行迭代。
也就是說,臺積電承諾6nm部件的邏輯密度提高了約18%,這或許可以說明更多真實的現實世界。而且,臺積電預計甚至不會在明年第一季度之前進行風險投產。雖然密度提升似乎與基于EUV的7nm +設計所承諾的一致,但我仍然對7nm + 6nm之間的實際差異感到困惑。特別是考慮到TSMC的5nm節(jié)點目前已經處于風險生產階段并且應該出現在6nm之前......這些晶體管數量開始失去對我的所有意義。
這個簡短的公告片出現在日益可靠的DigiTimes網站上,除了說臺積電通過新的生產流程瞄準高性能計算和GPU之外,并沒有真正詳細介紹??紤]到時機,以及Zen 3將基于7nm +的預期,AMD的后續(xù)GPU和CPU代數如果要在2021年出貨,可能會出現在最前沿的節(jié)點。是否出現在6nm或5nm的出血邊緣我不確定。
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雖然對于明年即將推出的AMD Navi刷新來說可能還有點太早了,這將使Zen 3和Navi 20同時采用相同的7nm + EUV光刻技術。從各方面來看,它本身就是一個令人印象深刻的節(jié)點......雖然這也讓我有些頭疼。
最近有關臺積電7nm +設計的商業(yè)時報的故事表明,通過利用EUV技術,生產過程將使晶體管密度增加約20%。這就是6??nm EUV設計所要提供的,這讓我懷疑從7nm +到6nm的優(yōu)勢是什么。
新的DigiTimes報告可能會被混淆,而6nm將提供比7nm +更大的晶體管密度18%,而不是直的7nm光刻。這將使它成為一個更令人興奮的技術突破,但實際上6nm和7nm +節(jié)點之間實際上差別很小,除了純粹的營銷決策與競爭的新工藝設計相悖。
畢竟,臺積電并不是唯一一個讓流動節(jié)點進步的人們感到困惑的人。三星剛剛宣布其5nm EUV設計已經完成,可隨時為客戶提供樣品。而且它還與6nm EUV節(jié)點上的合作伙伴合作。與此同時,其7nm EUV設計將于明年推出,據稱Nvidia將作為發(fā)射合作伙伴加入。
這意味著明年三星將生產7nm,6nm和5nm部件,這些部件都處于量產和風險生產的不同階段。從外觀上看,它們都是IP兼容的,因此合作伙伴可以設計一個,并且可以輕松地在整個硅生態(tài)系統(tǒng)中遷移。
據報道,三星的5nm EUV設計的邏輯密度比其7nm EUV工藝提高了25%,但是誰知道6nm將提供什么?18%可能?
無論發(fā)生什么事情,Nvidia似乎都相信三星的新工藝和AMD與臺積電合作,我們可能會在明年看到7nm的戰(zhàn)斗,甚至是6nm的戰(zhàn)斗?;?nm。我需要躺下來。
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