著名國工程院外籍院士施敏去世

根據(jù)中國工程院官網(wǎng)“院士館”欄目在近日所更新的內(nèi)容中顯示，中國工程院的外籍院士美國國家工程院院士被稱之為“半導體一代宗師”的施敏教授在2023年的11月6號去世。根據(jù)媒體報道施敏在11月6號安詳離世，享年87歲，在發(fā)布的訃告中稱施敏的一生對半導體器件以及電子產(chǎn)品對于整個世界的貢獻也將會被人們銘記在心里。施敏也被稱之為“半導體一代宗師”根據(jù)中國工程院官網(wǎng)介紹非揮發(fā)MOS場效應記憶晶體管就是施敏研究發(fā)現(xiàn)的。在微波器件、金半接觸，次微米金屬半場效應晶體技術等領域中施敏都有非常大的貢獻，尤其是在電子元件領域中更是提供了非常扎實的基礎性以及前瞻性的貢獻。

根據(jù)公開資料顯示施敏1957年畢業(yè)于中國臺灣大學的電機系，在1960年通過自己的努力就在美國華盛頓大學獲得了電機工程碩士，后續(xù)又獲得了電機工程博士，1967年施敏教授和姜大元博士在美國共同發(fā)現(xiàn)了浮柵存儲效應，也是廣泛應用的快閃存儲器中的核心發(fā)明。

在半導體接觸、半導體設備、微波器件以及金屬氧化物半導體場效應晶體管等一系列技術的研發(fā)中，施敏教授作出的貢獻都具有開創(chuàng)性的意義，尤其是施敏教授參與研發(fā)的非易失性半導體存儲器面世之后，給半導體行業(yè)帶來的影響非常深遠。

施敏教授還根據(jù)自己的專業(yè)技能撰寫了非常具有傳奇色彩的《半導體器件物理學》，這本書涉及到的專業(yè)知識領域非常強，想要接觸全球半導體以及集成電路方面的研究人員就可以通過這本書來學習到更多扎實的功底。而這本書也一直被研究生院的老師學生包括電子和光子行業(yè)的工程師引用。