三星宣布 36 Gbps GDDR7 內(nèi)存標準

三星展示了新一波的內(nèi)存解決方案和未來計劃，以指數(shù)級提高數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、移動、游戲和汽車市場的性能。今年三星技術(shù)日的內(nèi)存亮點包括DDR5RAM 容量的提高、下一代 GDDR 標準的發(fā)布以及V-NAND存儲技術(shù)的未來愿景。

對于 DRAM 市場，三星正在加速 1b 生產(chǎn)工藝，借助 High-K 等技術(shù)，該工藝允許擴展到 10 納米以上。該公司將很快推出每個內(nèi)存芯片 32 Gb 的 DDR5 密度，比現(xiàn)有的 16 Gb 增加 2 倍，比 24 Gb 芯片增加 33%。此外，用于手機和超極本的 8.5 GbpsLPDDR5X DRAM 解決方案也有望在來年得到更多采用。將進一步開發(fā)定制的 DRAM 解決方案，例如HBM-PIM、AXDIMM 和CXL ，以實現(xiàn)人工智能和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序的加速處理。

下一代 GPU 將受益于更快的 RAM，因為這家韓國巨頭宣布了傳輸速率高達 36 Gbps 的 GDDR7 規(guī)格。與某些 Nvidia RTX 4000 卡提供的美光當(dāng)前24 Gbps GDDR6X芯片相比，這一新標準應(yīng)將速度提高 50% 。使用 384 位總線，GDDR7 理論上可以提供 1.7 TB/s 的帶寬，但 256 位總線仍然可以突破 1 TB/s 的限制。

最后但同樣重要的是，三星談到了 V-NAND 存儲內(nèi)存芯片的改進。1 Tb TLC V-NAND 芯片將于 2022 年底上市，第九代 V-NAND 的開發(fā)已經(jīng)在進行中，首批芯片計劃于 2024 年生產(chǎn)。三星的目標是到 2030 年發(fā)布 1000 層 V-NAND 解決方案。