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評測DDR4 內(nèi)存顆粒怎么樣以及540s系列固態(tài)硬盤如何

2022-06-13 10:38:01 編輯:金成寶 來源:
導讀 三星沒有披露新工藝的具體數(shù)字,只是模糊地稱之為10nm級別或者1xnm,而根據(jù)韓國媒體此前報道,三星用的是18nm,繼續(xù)領先SK海力士、美光等

三星沒有披露新工藝的具體數(shù)字,只是模糊地稱之為10nm級別或者1xnm,而根據(jù)韓國媒體此前報道,三星用的是18nm,繼續(xù)領先SK海力士、美光等對手。

三星表示,新工藝克服了DRAM行業(yè)中的大量技術挑戰(zhàn),包括獨有的單元設計技術、四重曝光技術(QPT)、超薄介質層沉積技術等等,而且依然使用了已有的氟化氬沉浸式光刻工藝,并未啟用昂貴且不成熟的EUV極紫外光刻。

新的1xnm DDR4內(nèi)存顆粒單顆容量8Gb(1GB),頻率高達3200MHz,相比于20nm工藝下的DDR4-2400性能可提升30%,同時同等頻率下功耗降低10-20%,PC、主流服務器、大型企業(yè)網(wǎng)絡、高性能計算系統(tǒng)中都有廣闊的前景,單條容量最大可做到128GB。

今年晚些時候,三星還會使用新工藝生產(chǎn)新的移動用DRAM內(nèi)存顆粒,面向智能手機和平板機領域。

隨著新工藝的到來、產(chǎn)能的擴大,以及PC需求的下降、手機需求的增長減緩,內(nèi)存價格將在今年出現(xiàn)大幅度下滑,下半年至少會降20-30%,最多可達40%。三星18nm加入戰(zhàn)局,必然會進一步刺激價格走低。

性能方面官方宣稱持續(xù)讀寫最高可達560MB/s、480MB/s,屬于主流較高水準,單么實際情況如何呢?

- 120GB:讀取450.87MB/s、寫入170.47MB/s

- 240GB:讀取465.21MB/s、寫入439.25MB/s

- 360GB:讀取460.16MB/s、寫入427.99MB/s

- 480GB:讀取475.49MB/s、寫入443.92MB/s

- 1TB:讀取481.26MB/s、寫入432.26MB/s

讀取基本只有450-480MB/s的樣子,比標稱值低了15-20%。

寫入還好一些,基本都能達到430MB/s左右,只比標稱值低了約10%,但是最小容量的120GB非常慘,僅僅170MB/s,應該是閃存通道不足的緣故,再加上120GB容量使用起來實在緊張,不值得推薦考慮。

Intel SSD 540s系列將在4月份上市,價格未公布,估計120GB版本應該在60美元左右,1TB的則是320美元上下,另外2.5寸、M.2版本價格會是相同的。


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