臺(tái)積電宣布新的4nm工藝 這是5nm工藝的增強(qiáng)版

臺(tái)積電(TSMC)已經(jīng)正式透露其一直未宣布之前，現(xiàn)在一個(gè)新的4nm的制造過(guò)程的存在。制造過(guò)程介于公司路線圖上的5nm和3nm節(jié)點(diǎn)之間。

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電首席執(zhí)行官劉德銀周二在公司股東大會(huì)上宣布，代工廠將推出一種4nm工藝“ N4”。N4工藝是其最先進(jìn)的5nm工藝“ N5P”的增強(qiáng)版，預(yù)計(jì)將于2023年投入量產(chǎn)。

臺(tái)積電顯然在重復(fù)6nm制程N(yùn)6的舊程序。它是最強(qiáng)大的7nm工藝N7 +的升級(jí)版。優(yōu)點(diǎn)是，雖然性能和功耗繼續(xù)得到優(yōu)化，但設(shè)計(jì)彼此兼容?？蛻?hù)可以輕松遷移并以較低的成本獲得它。

臺(tái)積電的移動(dòng)芯片組例程始于16nm，當(dāng)時(shí)它嚴(yán)格遵守技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，但三星的類(lèi)似工藝稱(chēng)為14nm。從論文來(lái)看，臺(tái)積電的16nm工藝落后于三星的14nm，因此它加強(qiáng)并升級(jí)了其16nm節(jié)點(diǎn)，從而催生了12nm工藝。其余的，正如他們所說(shuō)，是歷史。

根據(jù)計(jì)劃，臺(tái)積電將在今年第四季度量產(chǎn)第一代5nm。該公司還完成了3nm工藝的設(shè)計(jì)框架。預(yù)計(jì)3nm工藝將在2021年上半年投入試生產(chǎn)。半導(dǎo)體巨頭也在加快2nm工藝。