三星宣布HBM2能夠從單個(gè)16GB芯片獲得410GB / s的帶寬

三星在GTC 2019上發(fā)布了最新的第三代HBM2(第二代高帶寬內(nèi)存)，稱之為Flashbolt。三星的HBM2E內(nèi)存能夠在單個(gè)堆棧中實(shí)現(xiàn)3.2Gb / s的傳輸速度和高達(dá)16GB的容量，使前幾代HBM2內(nèi)存相形見絀，甚至使AMD Radeon VII的16GB四核HBM2以2Gb / s的速度運(yùn)行也相當(dāng)平民化。 。

盡管與GDDR5 / 6產(chǎn)品相比占地面積相對(duì)較小，但每個(gè)HBM2封裝內(nèi)最多有8個(gè)存儲(chǔ)器堆棧(8-Hi)，通過硅通孔(TSV)連接。AMD利用其Vega架構(gòu)采用HBM2的小封裝尺寸，在RX Vega 64和RX Vega 56中安裝了8GB的內(nèi)容。隨后，隨著Radeon VII的推出，它的前輩產(chǎn)能增加了一倍，達(dá)到16GB的HBM2。這是通過四個(gè)內(nèi)存堆棧(4-Hi一塊)實(shí)現(xiàn)的。

然而，只需一個(gè)8-Hi三星Flashbolt HBM2E封裝即可實(shí)現(xiàn)。每個(gè)裸片都具有16Gb的巨大容量，可以疊加8個(gè)裸片，并且您擁有16GB的封裝，可管理410 GB / s的數(shù)據(jù)帶寬。

“Flashbolt業(yè)界領(lǐng)先的性能將為下一代數(shù)據(jù)中心，人工智能，機(jī)器學(xué)習(xí)和圖形應(yīng)用提供增強(qiáng)的解決方案，”三星內(nèi)存產(chǎn)品高級(jí)副總裁Jinman Han表示。“我們將繼續(xù)擴(kuò)大我們的優(yōu)質(zhì)DRAM產(chǎn)品，并改善我們的'高性能，高容量，低功耗'內(nèi)存部分，以滿足市場需求。”

目標(biāo)：這是最好的游戲鼠標(biāo)左右

但HBM2價(jià)格昂貴。在試圖推出針對(duì)消費(fèi)者目標(biāo)的HBM2顯卡時(shí)，AMD已經(jīng)因內(nèi)存價(jià)格問題而陷入困境，最近才開始與Radeon VII進(jìn)行價(jià)格/性能關(guān)系。因此，這種高性能存儲(chǔ)技術(shù)從新興的專業(yè)GPU和IC市場中獲得了最大的喜愛。

Nvidia在Titan V中填充了12GB的HBM2，但從未在主流市場的內(nèi)存技術(shù)上大跌眼鏡。相反，綠色團(tuán)隊(duì)在RTX 20系列和16系列顯卡中選擇了更便宜且功能更強(qiáng)的GDDR6封裝，唯一的例外是GDDR5上的GTX 1660。

就在一年多前，三星推出了第二代HBM2，綽號(hào)為Aquabolt：8GB HBM2以2.4Gb / s的速度運(yùn)行，總計(jì)307.2GB / s。這已經(jīng)超過了它的第一代內(nèi)存，它必須打破HBM2規(guī)格并將電壓提高到1.35V以打破2Gb / s的屏障。到目前為止，三星已經(jīng)對(duì)Flashbolt電壓保持穩(wěn)定，但可能需要再次將電壓提升至3.2Gb / s。