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SIC碳化硅MOS的特性是怎樣的

2022-06-04 01:48:30 編輯:水瑗飛 來源:
導讀 大家好,小科來為大家解答以上問題。SIC碳化硅MOS的特性是怎樣的這個很多人還不知道,現(xiàn)在讓我們一起來看看吧!1、SIC MOSFET是新興的第

大家好,小科來為大家解答以上問題。SIC碳化硅MOS的特性是怎樣的這個很多人還不知道,現(xiàn)在讓我們一起來看看吧!

1、SIC MOSFET是新興的第三代半導體材料,是一種寬帶隙半導體(帶隙大于> 2eV,而SI的帶隙僅為1.12eV)。由于其寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率和高載流子飽和漂移速度,適合于高溫、高頻和大功率應用。

2、MOSFET對柵極驅動器(驅動光耦、電容耦合器、磁耦合器等)的設計要求是什么?)?

3、1.要求驅動器具有更高的峰值柵極輸出電流和更高的dv/dt容差。

4、2.要求驅動器的傳播延遲非常低,抖動非常小,以便在高開關頻率下有效地傳輸非常短的脈沖。

5、3.驅動器需要有雙輸出端口。

6、4.支持高開關頻率(開關頻率至少支持400KHz)

7、5.支持高安全隔離電壓。

8、6.3-5V的負壓關閉,需要18V-20V才能開啟。

9、根據以上要求,硅LabsSi827x電容隔離驅動芯片很容易滿足設計要求。

10、高達4A峰值驅動電流,寬溫度范圍-40~125度,AEC-Q100認證。

11、業(yè)界最高的抗擾度(200kV/s)和閂鎖抗擾度(400kV/s)支持超快速開關。

12、最大傳輸延遲60ns,非常低的抖動200ps p-p,這里需要說明一下,傳輸延遲的影響因素與二次電源電壓VDDA/VDDB、負載電容以及容性隔離驅動芯片本身的工作溫度有關。

13、與IGBT不同,SiC‐MOSFET沒有導通電壓,因此可以在從小電流到大電流的寬電流范圍內實現(xiàn)低導通損耗。

14、另一方面,Si‐MOSFET在150時的導通電阻是室溫下的兩倍多。與Si‐MOSFET不同,SiC‐MOSFET的導通電阻易于熱設計,并且在高溫下較低。

15、碳化硅電力電子器件的主要優(yōu)點是開關頻率高、傳導損耗低、效率更高和熱管理系統(tǒng)更簡單。

16、與硅基轉換器相比,SiC電源系統(tǒng)具有這些優(yōu)勢,因此可以在要求高功率密度的應用中優(yōu)化性能,如太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、不間斷電源(UPS)和電動汽車。

17、但是,由于高電壓轉換率(dv/dt)和高電流轉換率(di/dt)是SiC功率器件的固有特性,這些電路對串擾、誤導、寄生諧振和電磁干擾(EMI)比硅基電路更敏感。

18、支票。

本文到此結束,希望對大家有所幫助。


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