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三星加快了160層NAND的開發(fā)

2022-06-07 01:51:10 編輯：杭天莎 來源：
導讀 就在上周，揚子存儲技術有限公司(YMTC)展示了1個28層3D NAND芯片，這是對之前最大64層存儲數(shù)量的升級，以及對非易失性閃存和超高密度SSD

就在上周，揚子存儲技術有限公司(YMTC)展示了1個28層3D NAND芯片，這是對之前最大64層存儲數(shù)量的升級，以及對非易失性閃存和超高密度SSD的新推動。現(xiàn)在，三星似乎感覺很熱。據(jù)韓國出版物Etnews報道，這家韓國制造商有傳言稱將加快V-NAND的開發(fā)，該技術可堆疊160層高。

根據(jù)這份報告，不清楚來源是誰，三星將使用其“雙堆棧”方法來開發(fā)這種新的堆棧式V-NAND，顧名思義，它在3D結構中使用垂直堆棧。三星的雙棧方法通過兩步而不是像三星目前所做的那樣一步一步地將層互連。

堆疊如此高的NAND層似乎是NAND-Jenga的游戲，但對于提高SSD的密度，提高材料產量和降低功耗至關重要。如果三星確實提供了160層產品，那么它將是業(yè)內最高的產品。

Etnews的報告沒有分享有關即將推出的技術的任何其他詳細信息，因此，當三星是否正式宣布其第七代V-NAND時，我們將不得不坐下來作進一步的解釋。由于上一代的堆疊式V-NAND每年夏天都會發(fā)布，因此假設開發(fā)沒有延遲，我們可以在6月或8月發(fā)布任何時間表。


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